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现代半导体欲结盟台下游企业 力争超越三星东芝 |
2009-05-05 |
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2005-4-8 11:47:00 文/孤行 编译 出处：TOM科技 美国东部时间4月7日（北京时间4月8日）据外电的最新报道称，韩国现代半导体目前正希望与台湾地区的一家存储器模块制造商结为战略同盟，以进一步扩大公司的NAND闪存业务。
现代半导体当前希望能够紧随闪存市场的龙头企业三星和东芝，但由于在下游缺少与一家存储器模块制造商建立合作联盟，减缓了现代半导体在该市场中的快速发展。报道称，劲永国际（PQI，Power Quotient International）可能将成为现代半导体几个潜在合作伙伴中的一个。现代半导体仍未对此市场传闻发表任何评论。
常用的闪存主要分为两种类型，分别是NOR和NAND，由于它可以在关闭电源后继续保存数据，因此成为了移动设备和其它电子产品存储数据的理想介质。在NAND闪存市场，韩国的三星电子处于绝对的领先地位；而在NOR闪存市场，英特尔和AMD杀的难分难解。
劲永国际董事长吕美月表示，她的公司不会与现代半导体结盟。但她又同时表示，该公司目前正在与一些国际DRAM制造商讨论结盟的问题。
在NOR闪存市场，英特尔计划2005年在NOR闪存市场大展身手，力争超越AMD重返市场老大的宝座。作为在NOR闪存市场赶超AMD计划的一部分，英特尔推出了面向平面电视和数码相机等消费电子产品的高级闪存。这种新型闪存名为StrataFlash嵌入式闪存，其中64MB到512MB容量的版本将于本季度上市，而1GB容量的版本还要等到今年第二季度。
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