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NEC东芝开发MRAM新型内存 2010年取代闪存 |
2009-05-05 |
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2004-12-16 14:45:00 文/刘彦青 出处：赛迪网 12月16日消息，NEC和东芝宣布，它们已经在开发新型内存技术方面取得了两项进展。这些新型内存将能够替换应用在手机、MP3播放机和其它便携式电子设备中使用的标准内存。
由于掉电后存储的信息也不会丢失，闪存主要用于便携式设备和内存卡中。包括NEC、东芝在内的数家公司正在开发一种被称为MRAM的新型内存。据支持者称，掉电后，MRAM也能够保存数据，而且与闪存相比，它读取数据的速度更快，工作时间更长，生产成本也更低。MRAM最早可能在2010年取代闪存和DRAM，但首先需要解决一些技术性问题。
一个问题是MRAM存储单元的大小，它通常比其它类型内存的存储单元要大。较大的存储单元会导致较高的生产成本，在写数据时也需要更多的能量。开发人员还必须确定如何控制存储单元中的磁性区域，避免各磁性区域相互干扰而产生错误。由于这些原因，目前MRAM芯片的存储容量只能达到16MB，而闪存芯片的存储容量已达到了GB。
NEC和东芝已经开发了二项技术，使MRAM芯片能够存储更多的数据，降低能耗。这些技术使它们能够在2006年生产出存储容量达到256MB的MRAM芯片。一项技术是一种新存储单元设计，能够将写数据的能耗降低一半，并降低了出错的可能性,它们还开发了与目前二种基本的MRAM单元设计不同的设计。
东芝公司的发言人Makoto Yasuda表示，尽管已经取得了这些进展，东芝公司并没有制订商业化生产MRAM芯片的计划。
IDC公司负责半导体业务的主管Kim Soo-Kyoum表示，MRAM有一天可以使用在目前使用闪存或其它种类内存的设备中，但是，其较小的存储容量和未来的开发意味着MRAM要取得其它种类的内存还需要更长的时间。他说，MRAM还处于萌芽期，它的未来还不确定。
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