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东芝推出90nm工艺的1GB SD卡和512MB高速SD卡 |
2009-05-05 |
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2004-9-16 18:32:00 文/Zxm 出处：存储时代 东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components, TAEC)日前推出1GB的SD卡SD-M01GS和512MB的高速SD卡SD-F5125。此次推出的产品采用东芝90nm NAND闪存技术开发而成，适用于数字相机、数字便携摄像机、MP3及PDA等产品中的高性能、大容量数据存储应用。
SD-M01GS SD卡仅需一片东芝的8Gb多级单元(MLC)NAND闪存芯片，尺寸只有一枚邮票般大小，因而无需采用高级堆栈技术实现其高密度。东芝的8Gb存储单元——MLC NAND闪存(TH58NVG3D4BFT00)芯片——在一个TSOP封装中集成了两个4Gb的NAND芯片。与单级单元的(SLC) NAND闪存相比，每个MLC NAND存储单元中可存储2位信息，因而具有极佳的性价比，更适用于各种低、高端数码相机、便携摄像机级MP3等产品。东芝的标准SD存储卡家族目前提供32MB至1GB产品，采用MLC NAND闪存的产品容量可高达64MB。
512MB的SD-F512高速SD卡适用于大容量快速写入/擦除应用，该器件采用了东芝的SLC NAND闪存技术，每个单元存储1位信息，同时利用大容量NAND技术的控制器实现了最大10MBps和连续5MBps的写入速率。东芝的高速SD卡家族目前包括128MB和256MB两种(白色封装，与该公司标准SD卡的蓝色相区别)，速率比东芝标准SD卡高5倍，主要面向数字视频、数字音频、手机、高分辨率数码相机、PDA、笔记本及其它高端便携电子产品。
东芝的标准SD卡尺寸为32×24×2.1mm。上述两种新推出的SD卡均采用了该公司先进的安全技术，较传统的闪存卡具有更高的安全性，提供了加密安全、版权数据保护、高速率拷贝/下载及大容量等性能。
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