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Intel下一代内存技术 读写速度达闪存1000倍 |
2009-05-06 |
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2007-3-7 22:31:00 文/墨非 出处：IT.com.cn(IT世界网) （IT.com.cn 3月7日消息 墨非）据国外媒体报道，英特尔公司计划在今年的第二季度向设备制造商客户提供第一批下一代内存技术－相变内存芯片的样本。
相变内存是一种非易失性内存，结合了DRAM内存的高速存取，以及闪存在关闭电源之后保留数据的特性。因此，它被业界视为未来闪存和DRAM内存的替代品。同时，它可以在不删除现有数据的情况下写入数据，而且功耗只有现在闪存的一半，但是读写速度可以达到闪存的1000倍。
在电量消耗大的移动设备中，相变内存可为储存数据执行编码时提供高速的数据传输。同时，英特尔闪存部门的首席技术官Ed Doller在英特尔总部举行的会议上表示，理想地说，相变内存将满足人们对获得一种能够保存数据的DRAM的需求。
另外，Doller还表示，虽然相变内存比传统的闪存和DRAM内存都要昂贵，但他相信其价格很快就会降到一个较低的水平。而英特尔公司首先会把相变内存技术定位在移动手机市场，现在的手机都是通过NOR闪存来储存操作系统和用户数据的。
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