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硅晶体管将达极限 MIT研发新技术提高性能 |
2009-05-06 |
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2006-12-11 11:06:00 文/CNET 出处：CNET CNET科技资讯网12月11日国际报道 麻省理工学院（MIT）的工程技术人员计划在本周发表一篇有关晶体管的论文，他们希望能够开启微型电子产品发展的一个新阶段。
MIT 的工程师估计，未来10-15 年内，硅晶体管在尺寸和性能方面将达到极限。 因此，包括MIT 在内的多家组织正在研究利用新的复合材料生产晶体管的课题，它们希望能够克服硅晶体管本身存在的缺陷。
一种可能的材料是铟砷化镓（InGaAs），电子在InGaAs中的传输速度是硅的好几倍。MIT 的微系统实验室（MTL）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输的电流量是最先进的硅晶体管的2.5 倍。InGaAs晶体管的大小只有60纳米。InGaAs晶体管的好处是能够减小芯片尺寸，提高信息处理的速度。
MTL 的电子学和计算机科学教授阿拉莫表示，我们每天都在使用手机、笔记本电脑、iPod等产品中的数十亿个晶体管。我们正在研究新的晶体管材料，在减小尺寸的同时，进一步提高产品的性能。
晶体管还是一种“年轻”的技术，研究人员必须克服一些困难。例如，InGaAs比硅更容易折断，大规模生产晶体管存在相当大的困难。阿拉莫教授预计未来2 年内将开发出原型InGaAs产品。
英特尔对这一成果非常高兴。英特尔负责晶体管和纳米技术研究的资深技术人员罗伯特在一份声明中说，阿拉莫教授的研究小组演示的60纳米InGaAs晶体管在较低的电压上显示出令人激动的性能，这是一个很重要的里程碑。
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