|
未来数年摩尔定律或将失灵 芯片商加紧攻关 |
2009-05-06 |
|
|
2006-6-13 10:45:00 文/CNET科技资讯网 出处：CNET科技资讯网 未来数年对于芯片厂商来说将是相当困难的。
芯片厂商计划在2007年末开始生产0.045 微米工艺的芯片，并在二年后将生产工艺进一步推进到0.032 微米。采用这些工艺生产的芯片将更快、能耗更低、集成有更多的晶体管、制造成本也更低。
德州仪器就曾表示，其采用0.045 微米工艺的手机芯片在性能提高30% 的情况下，能耗反而会减少40% ，消费者将能够在手机上玩游戏和看电视节目，而无须担心电池使用时间。
但生产这样的芯片并非易事，需要厂商们修改它们目前使用的基本材料和工艺。稍有失误就意味着可能落后竞争对手数个季度。德州仪器负责生产工艺的主管彼特说，有数种因素使得向0.045 微米工艺的过渡相当困难，但我们并非首次遭遇这样的困难。
本周，各大芯片厂商和大学的研究人员将出席IEEE赞助的2006 Symposium on VLSI Circuits.英特尔在这次会议上将阐述其开发的三栅极晶体管。在标准晶体管中，电流由源极经过栅极流向漏极。三栅极晶体管则有3 个栅极。
英特尔负责组件研究的主管迈克说，在能耗相同的情况下，三栅极晶体管的性能能够提高35%.尽管已经开发出原型产品，三栅极晶体管不会被应用在英特尔的0.045 微米工艺中。迈克说，我们认为0.032 、0.022 微米工艺将有很大的机会用上三栅极晶体管。
迈克没有对英特尔是否会在0.045 微米工艺中用金属取代多晶硅发表评论。
德州仪器将展示一个0.045 微米工艺的SRAM内存单元，它的尺寸较其它厂商的类似产品小了约30%.德州仪器能够减小SRAM单元尺寸的原因在于采用了浸没光刻技术。德州仪器还对其生产工艺中的许多其它方面进行了改进。在采用浸没光刻技术方面，德州仪器走在了竞争对手前头。
IBM 计划在2 、3 年后的0.032 微米工艺中采用其Nemo浸没光刻技术；尽管计划在0.045 微米工艺中采用，但英特尔可能在0.032 微米工艺中采用浸没光刻技术。
各大芯片厂商真正生产0.045 微米工艺芯片的时间各不相同。英特尔计划在2007年末向厂商交付0.045 微米工艺芯片，它是首批在2005年末交付0.065 微米工艺芯片的厂商之一。
德州仪器计划在2007年末生产0.045 微米工艺芯片样品，商业化生产则需要等到2008年。德州仪器将根据不同的应用对芯片的性能、成本、能耗进行优化，它还计划在高性能0.045 微米工艺芯片中使用金属栅极。
Freescale 计划在这次会议上展示其硅绝缘技术，据称这种技术能够将芯片能耗降低30%.但是，Freescale 没有表示是否会将该技术应用在0.045 微米工艺中。
AMD 则计划在2008年年中开始生产0.045 微米工艺芯片，这意味着其计划的加速。AMD 目前还没有发售0.065 微米工艺的芯片。如果能够在2008年年中开始生产0.045 微米工艺芯片，AMD 将在制造工艺方面赶上英特尔。
摩尔定律还能持续多长时间？业界人士认为它将在0.022 微米工艺芯片于2012或2014年问世后不再有效。届时，芯片厂商必须采用晶体管之外的新结构传输信号，因为继续缩小晶体管在经济上已经不再可行。
但是，许多人都认为，纳米技术将使晶体管的寿命再延长数年时间。另外，垂直地堆叠晶体管将使芯片厂商享受到与目前缩小晶体管尺寸同样的“红利”，例如更高的性能和更低的成本。
到2021年左右，晶体管的尺寸可能会小得可以使电子穿过它。
|
|
|
| |
|
|
