|
闪存盘技术竞争升级 读写速度20MB/S上较劲 |
2009-05-05 |
|
|
2008-7-9 14:31:00 文/深圳商报 出处：深圳商报
深圳朗科科技公司(IT世界配图)
据来自我市赛格等几个大的电子市场反映出的信息，闪存盘进入到２００８年下半年后，厂商的角力重点已放到了读写速度逾２０ＭＢ／Ｓ和数据安全上了。
业内人士指出，看读写速度可以立即分辨出一款闪存盘是哪一年生产的。比如读写速度在２０ＭＢ／Ｓ以上，就是采用了最新的多通道闪存盘控制技术，这一技术是在２００７年下半年才出现，产品正式上市应该是２００８年初。目前，２００８年新上市的产品中，达到这一读写速度的只有有限的几个一线闪存盘大品牌。
对于读写速度不是很看重的用户，可以考虑购买读写速度在６ＭＢ／Ｓ～１０ＭＢ／Ｓ的闪存盘，这类闪存盘控制芯片问世于２００６年之后，目前在市面上还是大量存在的。对于容量２Ｇ以下的闪存盘来说，这一速度基本上是可以满足需求了。
目前，市面的产品中，包括朗科在内的一些公司，采用一种动静态负载平衡技术的闪存盘，以提高数据安全性。它的原理是用户往闪存盘存入数据的时候，闪存盘可以平均闪存内部各数据块的擦写次数，如果发现Ａ数据块已经写入了１００次，而Ｂ数据块只使用了３０次，那么再有数据存入的使用，闪存盘的控制芯片就会优先安排存放在Ｂ数据块上，从而避免了闪存芯片局部老化现象发生——没有了局部老化，闪存盘就不可能过早出现坏块，数据就更不容易丢失。
|
|
|
| |
|
|
