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内存上周先跌后反弹 十月还将持续降价 |
2009-05-05 |
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2007-10-10 16:22:00 文/IT.com.cn综合消息 出处：IT.com.cn(IT世界网) 上周，内存现货市场呈现先跌后反弹的走势， DDR2 512Mb 667MHz 小幅下跌 2.03% ，收于1.45 美元，而 DDR2 512Mb eTT 价格反弹至 1.23 美元，上涨幅度达 5.13% 。现货市场反弹主要的原因主要有二，一为跌深反弹， DDR2 512Mb eTT 创下 1.10 美元的新低；二为 Hynix 因现货市场价格跌幅太大，暂时停止供货至现货市场。市调机构 DRAMeXchange 预测，目前 DDR2 512Mb eTT 均价与 667MHz 低价已经相当接近，若品牌颗粒未顺势反弹，将压抑整体现货市场反弹趋势。
至于合约市场方面，最近市场上甚至见到部份 1GB 模块，以 25 美元新低价格成交，而此一成交价将对十月上旬合约价造成相当程度之压力。目前虽逢 PC 出货旺季，然而 OEM 手上存货充裕，并没有积极备货之意，因此 DRAMeXchange 预期十月上旬合约价格将持续向下修正，幅度可能较上次为大，下旬 NAND Flash 合约价持续向下修正
NAND Flash 方面，九月下旬合约价平均降幅在 2-15% 左右，其中以主流 8Gb 和 16Gb 的 MLC 颗粒降幅较大，主要是反应主要供货商 5X nm 新制程产出比重从今年第四季起将逐渐增加，生产成本相对下降、十月开始供货量的提升，以及供货商在第三季季底和中国十一长假前对客户的促销策略。至于 SLC 颗粒则因市场供给量逐渐减少，所以此次合约价格的跌幅相对于 MLC 来说就显得比较小。
展望今年第四季 NAND Flash 市况，目前各国政府正在合力稳定国际金融与经济环境，而且厂商的持续降价策略也有助于刺激第四季的售销与新兴市场的新商机，因此十月份仍然是传统的年底旺季 NAND Flash 备货需求高原期。由于九月的 NAND Flash 合约价已经提前大幅向下修正过，因此 DRAMeXchange 预期，短期内 NAND Flash 合约价继续向下修正的幅度将明显缩小。
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