|
英特尔新Si-Ge光电检测器速度可达40Gb/s |
2009-07-10 |
|
|
【IT世界网讯】9月19日凌晨消息，在IDF开幕的第一天早晨，Intel技术大师、光子实验室主任马里奥·潘尼西亚告诉与会者，Intel已经开发出基于硅和锗的光电检测器，它可以40Gb/s的速度监测激光信号。
潘尼西亚称，在这个速度下，这款光电检测器将是世界上目前为止最快的硅锗光电检测器。
在如今的光纤通信中，涉及到一个光数据向电子数据转换的过程。过去，人们在解决这个问题时总需要耗费巨资。受此感触，Intel决定开始研究涉及使用硅材料制造光纤组件的硅光子学。虽然可见光谱无法穿透硅，但是在红外线波长面前硅是透明的，这也就意味着它可以传递光。然而，硅却不能吸收光，从而为研发带来了巨大的困难。
为了将红外光导向设备转换为检测器，Intel的研究人员在设备中添加了很薄的一层锗材料。这里之所以选择锗，是因为它对1.3至1.6微米波长的吸收性令Intel的研究人员非常感兴趣。此外，锗是半导体加工过程中是一种CMOS材料。
Intel光电检测器使用锗来吸收光
挑战：当锗在硅上增长时造成压力
在深入研究这个项目所使用的材料后，Intel发现锗的晶体结构比硅大出4%，当锗在硅上增长时，造成了额外的压力以及性能上的损失。如果这个增长过程过于松懈，最将将会以晶体结构的错位而告终——这也就是造成无照电流总量的增加，从而导致性能损失的原因。Intel称，它已经对这个增长过程进行了优化，以确保这个缺陷的影响保持在最低值。
|
|
|
| |
|
|
