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据韩国电子新闻报导，韩国半导体业者在衡量存储器芯片业者竞争力高低的微细制程[ZhiCheng]比重大占优势，维持在全球DRAM市场的主导权，尤其40纳米等级微细制程[ZhiCheng]扩大，使韩国企业市占率随之扩大，在2011年第1季写下不错成绩，其它DRAM业者因转换制程[ZhiCheng]时机较晚，第1季营收多不理想。
外电报导，三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等韩国DRAM半导体业者40纳米等级制程[ZhiCheng]比重超过50%以上。而美国美光(Micron)、日本尔必达(Elpida)、台厂南亚等竞争业者40纳米等级制程[ZhiCheng]比重未满20~40%，华亚和力晶等比重则停留在约10%。
最早转换微细制程[ZhiCheng]的三星将50纳米等级制程[ZhiCheng]减少21%，并将40纳米制程[ZhiCheng]大幅提升至75%。且三星也是DRAM业界中唯一将制程[ZhiCheng]扩大到30纳米等级的业者，比重占4%。
海力士则紧跟在三星之后。海力士的60纳米制程[ZhiCheng]比重占1%、50纳米制程[ZhiCheng]比重占34%、40纳米制程[ZhiCheng]占65%等，其中以40纳米制程[ZhiCheng]占比重最高。
美光、尔必达、南亚等竞争业者仍以50纳米制程[ZhiCheng]比重较高，美光50纳米制程[ZhiCheng]比重占72%，南亚则接近70%。尔必达40纳米制程[ZhiCheng]比重占41%，虽然整体来说40纳米制程[ZhiCheng]占比最高，但60纳米和50纳米制程[ZhiCheng]合计占比达60%，比重过半，与韩国业者相比仍有很大差异。
韩国业者逐渐将生产主力转换到40纳米制程[ZhiCheng]，制程[ZhiCheng]转换已大部分整理完成，美光则还有1%采70纳米制程[ZhiCheng]，7%为60纳米制程[ZhiCheng]，尔必达也还有25%使用60奈米制程[ZhiCheng]。
韩国相关业者表示，尔必达宣布2011年7月将会投入20纳米制程[ZhiCheng]量产，但目前转换到40纳米制程[ZhiCheng]的比重仍偏低，甚至无法进入30纳米制程[ZhiCheng]，较难立即转换到20纳米制程[ZhiCheng]。韩国业者也认为，60纳米制程[ZhiCheng]比重至今仍达4分之1，可能是转换新制程[ZhiCheng]上遭遇瓶颈的间接性证据。
除此之外，台厂华亚科和力晶40纳米制程[ZhiCheng]比重各为13%和11%，在转换微细制程[ZhiCheng]方面速度仍偏缓。 |
